[发明专利]晶圆弯曲度调整装置及方法有效
| 申请号： | 201911060777.6 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110752171B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 白靖宇 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李梅香;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种晶圆弯曲度调整装置和方法。对设置在圆弯曲度调整装置的固定本体上的晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，通过加热所述晶圆弯曲度调整装置的加热部件调整在所述晶圆上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度；所述加热部件设置在所述固定本体上。如此，能够实现晶圆在特定方向上的弯曲度的调整。 | ||
| 搜索关键词： | 弯曲 调整 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆弯曲度调整装置，其特征在于，所述装置包括：/n固定本体，对晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，所述晶圆设置在所述固定本体上；/n加热部件，设置在所述固定本体上；在对所述晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时，通过加热所述加热部件调整在所述晶圆上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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