[发明专利]一种钛酸锶表面电子气PN结的制备方法在审
| 申请号： | 201911061487.3 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110828316A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 姜昱丞;贺安鹏 | 申请（专利权）人： | 苏州科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215011 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种钛酸锶表面电子气PN结的制备方法，属于材料技术领域。本发明在钛酸锶基片表面沉积或粘贴P型材料，利用光刻技术将P型材料表面的部分面积用光刻胶覆盖，用离子束将未被光刻胶覆盖的P型材料全部刻蚀掉后，再经刻蚀钛酸锶衬底使其表面形成钛酸锶表面电子气，最后用丙酮、酒精、去离子水去除光刻胶后，即可获得钛酸锶表面电子气与P型材料的PN结。本发明提供了一种简易、普适性的方法用于构建钛酸锶表面电子气与P型材料的PN结。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钛酸锶 表面 电子 pn 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州科技大学，未经苏州科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911061487.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
