[发明专利]一种晶圆切片方法及芯片在审
| 申请号： | 201911062069.6 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110838439A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 诸舜杰;阮孟波;董建新 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308;H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆切片方法，包括：通过第一刻蚀工艺对晶圆上表面的划片道进行刻蚀至目标深度；在上表面划片道刻蚀至目标厚度的晶圆上部设置键合片；通过第二刻蚀工艺对晶圆下表面的划片道进行刻蚀直到所述下表面划片道与上表面划片道连通；以及通过在所述晶圆的下表面贴划片膜并去除所述键合片后，获得分离后的芯片。本发明还公开了通过上述切片方法制得的芯片，本发明公开的技术方案大大增加每片晶圆上芯片的存活数目及芯片产量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 切片 方法 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
