[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911065962.4 | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN111384024A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 杨仓博 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/538 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括一基底；一第一导线及一第二导线，配置在该基底上；一第一介电层，配置在该基底上并围绕该第一导线及该第二导线设置；一第一导电通孔，延伸经过该第一介电层并接触该第一导线；一第三导线，配置该第一介电层上并接触该第一导电通孔；以及一第二介电层，配置在该第一介电层上并围绕该第三导线设置；其中该第三导线覆盖该第一导线与该第二导线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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