[发明专利]一种超薄纳米级石墨炔薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201911066615.3 | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN110668436B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张跃;温嘉玲;张铮 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C01B32/21 | 分类号： | C01B32/21;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于石墨炔薄膜制备领域，具体涉及一种超薄纳米级石墨炔薄膜的制备方法。所述制备方法采用等离子刻蚀制备超薄石墨炔薄膜；包括将附有原始石墨炔薄膜的铜基底置于等离子刻蚀机中；将氧气注入所述等离子刻蚀机的空腔中刻蚀；刻蚀后利用PMMA辅助法转移至目标基底上，去除PMMA后得到所述超薄石墨炔薄膜。所述制备方法采用等离子刻蚀制备超薄石墨炔薄膜，通过在铜基底上溶液生长的石墨炔上进行等离子刻蚀，减薄石墨炔厚度，并转移到另一基地上，这就免去了复杂的化学处理而得到超薄纳米级的石墨炔薄膜，且同时去除了石墨炔由于副反应而生成的大量功能团。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 纳米 石墨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超薄纳米级石墨炔薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法采用等离子刻蚀制备超薄石墨炔薄膜；包括将附有原始石墨炔薄膜的铜基底置于等离子刻蚀机中；将氧气注入所述等离子刻蚀机的空腔中刻蚀；刻蚀后利用PMMA辅助法转移至目标基底上，去除PMMA后得到所述超薄石墨炔薄膜。/n
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