[发明专利]一种SiO2

摘要

本发明公开了一种SiO2及掺杂多晶硅叠层钝化薄膜的制备方法，包括如下步骤：链式连续传输体系，硅片在自动装料台装载到载板上，带硅片的载板经过装载腔抽真空并加热；通过输送机构输送至PECVD工艺腔内用SiH4和含氧气体(O2/N2O)生成Si02薄膜；然后经过过渡腔送到PVD工艺腔内用离子溅射方法镀掺杂的非晶硅薄膜；再经过卸载腔进入大气后在卸载台卸载；空载板在大气中回传到装载台继续下一个循环。该发明利用链式传输，结合了PECVD生长SiO2和PVD生长掺杂多晶硅的二合一镀膜方案，连续运行生产具有产能高、生产工序少、工艺间无交叉污染和环境污染、设备投入成本低及生产能耗低的优点。