[发明专利]一种薄层SiO2

摘要

本发明公开了一种薄层SiO2钝化膜的制备方法，具体包括如下步骤：1)首先提供一种链式连续镀膜的PECVD设备；2)通过连续输送机构将载有硅片的载板连续输送至链式PECVD设备工艺腔体内实现镀膜；3)在工艺腔体内，通过等离子源的电极板出气孔出02，同时从等离子源的电极板侧面的分气块出SiH4，SiH4和O2两种气体通过不同管路进入到工艺腔体的不同区域流出，在1‑20Pa的真空下相遇混合并在连续输送的硅片表面形成SiO2钝化膜。该发明只需使用两种特气SiH4和O2作为反应气体，并使用分离式进气方式，具有工艺温度低、安全可靠且环保等优点，且动态链式连续镀膜生长，带速高、产量大，均匀性高度可控。