[发明专利]半导体存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201911069774.9 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN111508967B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 李建泳;金兑京 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/20 | 分类号： | H10B43/20;H10B43/30;H10B43/40 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储装置及其制造方法。提供了一种半导体存储装置及其制造方法。该半导体存储装置包括：第一基板，该第一基板包括外围电路、连接到所述外围电路的第一导电接触图案以及具有使所述第一导电接触图案暴露的凹槽的第一上绝缘层；第二基板，该第二基板包括存储单元阵列、设置在所述存储单元阵列上的第二上绝缘层以及第二导电接触图案，所述第二上绝缘层形成在所述存储单元阵列和所述第一上绝缘层之间，所述第二导电接触图案穿过所述第二上绝缘层突出到所述凹槽的开口中；以及导电粘合剂图案，该导电粘合剂图案填充所述凹槽，以将所述第二导电接触图案连接到所述第一导电接触图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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