[发明专利]半导体器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制作方法，在器件区形成器件堆叠结构，在非器件区形成参照堆叠结构，在对器件堆叠结构进行刻蚀形成台阶结构过程中，同步对参照堆叠结构进行刻蚀，检测参照堆叠结构中绝缘介质层的厚度，基于参照堆叠结构中绝缘介质层的厚度，可以确定器件堆叠结构的台阶结构中绝缘介质层的厚度，可以在器件堆叠结构上制备台阶结构的过程中，通过参照堆叠结构中绝缘介质层的厚度实时检测台阶结构中露出的绝缘介质层的厚度，便于台阶结构中绝缘介质层厚度的实时监控，可以用于监控不同厚度台阶的工艺偏移量，通过检测参考堆叠结构中绝缘介质层厚度，可以实现器件堆叠结构中台阶又快又好的刻蚀，并及时发现绝缘介质层过刻蚀问题。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底具有器件区以及非器件区；/n在所述器件区形成器件堆叠结构，在所述非器件区形成参照堆叠结构，所述器件堆叠结构以及所述参照堆叠结构具有同步形成的多层交替层叠设置的绝缘介质层；/n对所述器件堆叠结构以及所述参照堆叠结构进行同步刻蚀，在所述器件堆叠结构中形成台阶结构，检测所述参照堆叠结构中绝缘介质层的厚度；/n基于所述参照堆叠结构中绝缘介质层的厚度，确定所述台阶结构中绝缘介质层的厚度。/n