[发明专利]氧化物半导体薄膜检测装置及氧化物半导体薄膜检测方法有效
| 申请号： | 201911070597.6 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN111141784B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 朴瑨哲;文相渊 | 申请（专利权）人： | 亚威科股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04;G01R27/08 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 涉及氧化物半导体薄膜检测装置及方法。该装置包括：电压产生部，当连接部连接于氧化物半导体薄膜时，产生用于检测氧化物半导体薄膜的外加电压；电压改变部，在预设的初始值与预设的最大值之间改变外加电压；电阻部，分别连接于连接部和电压产生部并设定测量用电阻，以使通过电压改变部改变的外加电压经过测量用电阻被施加到氧化物半导体薄膜；获得部，根据是否测量出氧化物半导体薄膜的电压，获得氧化物半导体薄膜的薄膜电压；以及控制部，在由获得部获得了薄膜电压的情况下，利用获得薄膜电压时被施加到测量用电阻的电阻电压与获得薄膜电压时的测量用电阻，算出薄膜电流后，利用算出的薄膜电流与薄膜电压，算出氧化物半导体薄膜的薄膜电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜 检测 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亚威科股份有限公司，未经亚威科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911070597.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
