[发明专利]多晶硅膜的形成方法和成膜装置在审
| 申请号： | 201911071261.1 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN111197179A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 本山丰;远藤笃史 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C30B28/02 | 分类号： | C30B28/02;C30B29/06;C30B33/10;C23C16/24;C23C16/28;C23C16/56;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶硅膜的形成方法和成膜装置。[课题]提供能扩大多晶硅膜的晶粒大小的技术。[解决方案]本公开的一方式的多晶硅膜的形成方法具备如下工序：在基板上形成非晶硅膜的工序；在前述非晶硅膜上形成由非晶锗膜或非晶硅锗膜形成的覆盖层的工序；对前述基板在第1温度下进行热处理，在前述非晶硅膜中形成硅的晶核的工序；在形成前述晶核后，将前述覆盖层去除的工序；和，对去除了前述覆盖层的前述基板在前述第1温度以上的第2温度下进行热处理，使前述晶核生长的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 形成 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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