[发明专利]一种刻蚀方法、空气隙型介电层及动态随机存取存储器有效
| 申请号： | 201911073150.4 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN110993499B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 吴鑫;王春;郑波;马振国 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/764 |
| 代理公司： | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人： | 左文 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种刻蚀方法，用于在形成于晶圆表面上的氮化硅膜区和氧化硅膜区之间选择性地蚀刻氧化硅膜区。刻蚀方法包括：表面去除步骤：以第一刻蚀速率刻蚀所述氧化硅膜区，并清除覆于氮化硅膜区表面上的表面变性层；以及刻蚀步骤：以第二刻蚀速率选择性地刻蚀氧化硅膜区，其中，第一刻蚀速率小于第二刻蚀速率。从而在对氧化硅膜区选择性地蚀刻时，避免了由于晶圆表面的氧化变性层的存在导致的选择比大大降低的问题。特别的，第一刻蚀速率小于第二刻蚀速率可以在保证刻蚀步骤高效刻蚀的同时，避免在表面去除步骤中的过度刻蚀，进一步保障了高选择比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 空气 隙型介电层 动态 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
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