[发明专利]改良的电荷俘获型存储器

摘要

本公开提供一种改良的电荷俘获型存储器，自上而下包括：金属栅；第一阻挡层，用于防止电荷从栅极泄漏；第一俘获层，用于存储电荷；隧穿层；第二俘获层，用于存储电荷；第二阻挡层，用于防止电荷从衬底泄漏；衬底，其边缘处设置有源极，以及漏极，衬底接地；通过上下两层阻挡层的设置，使其成为具有高速，低功耗，且与CMOS工艺兼容的高可靠性存储器结构。

主权项

1.一种改良的电荷俘获型存储器，自上而下包括：/n金属栅(1)；/n第一阻挡层(2)，用于防止电荷从栅极泄漏；/n第一俘获层(3)，用于存储电荷；/n隧穿层(4)，用于电荷能够通过隧穿效应在第一俘获层和第二俘获层之间移动；/n第二俘获层(5)，用于存储电荷；/n第二阻挡层(6)，用于防止电荷从衬底泄漏；/n衬底，其边缘处设置有源极(7)，以及漏极(8)，衬底接地。/n