[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201911074748.5 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN111142327A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 李洙龙;姜奉秀;具教一;金相兑;郑刚珉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 范芳茗 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法包括：设计布局；基于所述布局形成光掩模；校正所述光掩模的透光率；以及使用具有校正后的透光率的光掩模来执行光刻工艺以在衬底上形成图案。校正所述光掩模的透光率包括：通过捕获穿过所述光掩模的光来创建强度图；对所述布局进行仿真以创建虚拟强度图；以及基于所述强度图和所述虚拟强度图来校正所述光掩模的掩模衬底的透光率。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
