[发明专利]一种沟槽栅IGBT制作方法在审
| 申请号： | 201911074969.2 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112768356A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 刘勇强;曾丹;敖利波;肖婷;史波 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张杰 |
| 地址： | 519000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种沟槽栅IGBT制作方法，包括以下步骤：在有源区形成主结P+区以及在终端区形成多个P+耐压环，在有源区制备多个源区沟槽，并在源区沟槽内制备栅极氧化层，在多个源区沟槽内部的栅极氧化层上以及有源区和终端区的栅极氧化层上制备厚度高达 |
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| 搜索关键词： | 一种 沟槽 igbt 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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