[发明专利]RFeB系烧结磁体及其制造方法有效
| 申请号： | 201911075229.0 | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN111145972B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 中村通秀 | 申请（专利权）人： | 大同特殊钢株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/053 | 分类号： | H01F1/053;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张苏娜;樊晓焕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种RFeB系烧结磁体，该烧结磁体包含：28质量％至33质量％的稀土元素R、0质量％至2.5质量％的Co(钴)(即，可以不包含Co)、0.3质量％至0.7质量％的Al(铝)、0.9质量％至1.2质量％的B(硼)以及小于1,500ppm的O(氧)，余量为Fe，该烧结磁体在晶粒界面中包含具有R |
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| 搜索关键词： | rfeb 烧结 磁体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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