[发明专利]一种图形形成方法有效
| 申请号： | 201911075391.2 | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112768351B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 石夏雨 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种图形形成方法，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上形成图形转移层，所述图形转移层包括第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层沿平行于所述衬底的方向交替排列延伸；在所述图形转移层上形成第一图形窗口，所述第一图形窗口至少暴露出部分所述第一材料层或至少暴露出部分所述第二材料层；沿所述第一图形窗口蚀刻所述第一材料层或所述第二材料层，在所述图形转移层中形成第二图形窗口；沿所述第二图形窗口，刻蚀所述衬底，图形化所述衬底。本发明优点是，实现缩小关键尺寸的目的，简化了制备关键尺寸的工艺，能够获得较小的关键尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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