[发明专利]一种硒半导体薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201911075887.X | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN110863177B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 尹行天;文森;陈武磊;阙文修 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24;C23C14/58 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 段俊涛 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种硒半导体薄膜的制备方法，首先清洗纯玻璃基片或ITO基片；其次将称量好的硒粉体的和基片放置在石英管的相应位置；然后对腔体抽真空，在较低温度下(接近室温)以一定升温速率给气氛炉升温，到达一定温度后，保温几分钟，保温结束立刻打开气氛炉上盖，使腔体快速降温冷却至室温后，将基片取出，完成薄膜沉积得到硒半导体薄膜，再将沉积得到的薄膜在空气气氛中一定温度下退火一定时间。本发明的优点是：(1)操作简单，重复性高，薄膜制备过程用时少、效率高，对实验设备及环境要求较低；(2)制备的硒半导体薄膜形貌规则、薄厚均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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