[发明专利]用于存储器读取和写入特性的性能变化的传感器在审
| 申请号： | 201911080136.7 | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN111161774A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 阿米特·查布拉;雷纳·赫贝霍尔茨 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/417 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述的各种实现涉及一种具有第一存储器结构和第二存储器结构的集成电路。第一存储器结构设置在集成电路的第一区域中，并且第一存储器结构具有带有第一晶体管的第一存储器单元。第二存储器结构设置在集成电路中的与第一区域不同的第二区域中，并且第二存储器结构具有带有第二晶体管的第二存储器单元，第二晶体管与第一晶体管分离。第二存储器单元的第二晶体管被布置为提供输出振荡频率，用于检测第一存储器单元的第一晶体管的性能变化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 读取 写入 特性 性能 变化 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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