[发明专利]层叠体的加工方法有效
| 申请号： | 201911080421.9 | 申请日： | 2019-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN111192852B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 中村胜 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L27/146;B23K26/38 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供层叠体的加工方法，在将借助透明的粘接层而在晶片的正面上配设有玻璃基板的层叠体分割成各个图像传感器芯片时，不会产生品质的降低。该层叠体的加工方法包含如下的工序：水溶性树脂填充工序，在通过分割工序形成的分割槽中填充水溶性树脂；改质层去除工序，在水溶性树脂固化的状态下将切削刀具定位于晶片的背面上所形成的分割槽而进行切削，将改质层去除；以及水溶性树脂去除工序，对扩展带进行扩展而成为扩展状态，并且维持该扩展状态而从晶片的背面提供清洗水，将填充在切削槽和分割槽中的水溶性树脂去除。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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