[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201911081130.1 申请日: 2019-11-07
公开(公告)号: CN111180516B 公开(公告)日: 2023-10-20
发明(设计)人: 斋藤顺;山下侑佑;浦上泰 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/739;H01L29/423
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 任天诺;高培培
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体装置具备:半导体基板;覆盖半导体基板的上表面的一部分的绝缘膜;隔着绝缘膜而与半导体基板的上表面对向的栅电极。在半导体基板,通过体层而向上表面延伸的漂移层隔着绝缘膜而与栅电极对向。绝缘膜从半导体基板的上表面通过栅电极与上表面电极之间延伸至栅电极的上表面,在栅电极的上表面划定开口。在通过与栅电极对向的漂移层的对向面并与该对向面垂直的直线的集合即第一区域内,在栅电极的上表面不存在绝缘膜。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
暂无信息
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