[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911084450.2 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110931491B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 吴继君 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H10B43/27;H10B43/35;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;刘静 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。所述3D存储器件包括：衬底；位于衬底上方的叠层结构，所述叠层结构包括若干层间隔设置的栅极导体，所述栅极导体由栅线缝隙分割为多个栅线；贯穿所述叠层结构的多个沟道柱；以及位于所述栅线缝隙中的导电通道和绝缘层，所述导电通道采用所述绝缘层与所述多个栅线彼此隔开，其中，所述叠层结构还包括阻挡层，所述阻挡层位于相邻的两栅极导体之间，所述阻挡层内注有电子，以抑制导电通道编程区域内电子的移动。该3D存储器件中的阻挡层内注有电子，可以避免存储区域所存储的电子因电位差向相邻的存储区域移动的问题，从而提高该3D存储器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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