[发明专利]单片双波段集成式传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201911084993.4 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110797430B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 黎大兵;刘新科;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭;蒋科;贲建伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 宁晓丹 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 单片双波段集成式传感器及其制备方法涉及传感器技术领域，解决了现有集成困难、红外探测性能弱和结构复杂的问题，该装置包括依次从上至下设置的自支撑氮化镓单晶体材料、缓冲层、二维氮化物薄膜层和红外传感器电极，还包括第一紫外传感器电极和第二紫外传感器电极，均在自支撑氮化镓单晶体材料上表面上且分设缓冲层和二维氮化物薄膜层的两侧。制备方法包括依次生长或制备自支撑氮化镓单晶体材料、缓冲层、二维氮化物薄膜层和红外传感器电极；在自支撑氮化镓单晶体材料上制备第一紫外传感器电极和第二紫外传感器电极、退火。本发明的制备方法新颖简单，制备的双波段传感器结构简单、双波段探测效果明显。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 波段 集成 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.单片双波段集成式传感器，其特征在于，包括自支撑氮化镓单晶体材料(1)、缓冲层(2)、二维氮化物薄膜层(3)、红外传感器电极(4)、第一紫外传感器电极(5)和第二紫外传感器电极(6)；缓冲层(2)、第一紫外传感器电极(5)和第二紫外传感器电极(6)均制备在自支撑氮化镓单晶体材料(1)上表面上；二维氮化物薄膜层(3)制备在缓冲层(2)上表面上，红外传感器电极(4)制备在二维氮化物薄膜层(3)上表面上，缓冲层(2)和二维氮化物薄膜层(3)均位于第一紫外传感器电极(5)和第二紫外传感器电极(6)之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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