[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

半导体装置的制造方法。一种制造半导体装置的方法包括：在第一源极层上方形成包括氮化物的第一牺牲层；在第一牺牲层上方形成包括氧化铝的第二牺牲层；在第二牺牲层上方形成第二源极层；在第二源极层上方形成层叠结构；形成穿过层叠结构、第二源极层、第二牺牲层和第一牺牲层的沟道层，该沟道层被存储器层包围；形成穿过层叠结构和第二源极层的狭缝；在狭缝中形成多晶硅间隔件；通过去除第一牺牲层和第二牺牲层形成开口；通过蚀刻存储器层来露出沟道层；以及在开口中形成第三源极层。