[发明专利]埋入式磁阻式存储器结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201911086243.0 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN112786562A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李国兴;薛胜元;黄鼎翔 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/22;H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种埋入式磁阻式存储器结构及其制作方法，其中该埋入式磁阻式存储器结构包含一基底划分为一存储器区和一逻辑元件区，一主动区域设置于基底的存储器区，一字符线设置于基底上并且与主动区域交错，一源极插塞设置于主动区域内并且位于字符线的一侧，一漏极插塞设置于主动区域并且位于字符线的另一侧，其中由垂直基底的上表面的方向观看，字符线为对称轴，源极插塞为漏极插塞的镜像。 | ||
| 搜索关键词： | 埋入 磁阻 存储器 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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