[发明专利]一种半导体金属氧化物WO3在审

专利信息
申请号: 201911086608.X 申请日: 2019-11-08
公开(公告)号: CN112777639A 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 冯亮;胡琪 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: C01G41/02 分类号: C01G41/02;B82Y40/00
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 李奇
地址: 116023 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种半导体金属氧化物WO3的水热制备方法。本方法将二水合钨酸钠与铵源进行充分混合,在合适的温度下水热反应,提纯后高温焙烧,制备得到WO3纳米材料。通过调整铵源与二水合钨酸钠的配比可以制备不同长度的纳米棒。该制备方法操作简单、条件温和、成本低廉、适用于大批量生产,所制备的材料均一稳定、纯度高,在气体传感、光学和电学器件等领域具有良好的发展和应用前景。
搜索关键词: 一种 半导体 金属 氧化物 wo base sub
【主权项】:
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