[发明专利]利用熔盐法制备氟化镧单晶及稀土离子掺杂氟化镧单晶的方法在审
| 申请号： | 201911087069.1 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111020688A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 涂朝阳;胡明远;王燕;朱昭捷;游振雨;李坚富 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B9/12 | 分类号： | C30B9/12;C30B29/12;H01S3/16 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 张莹;戴嵩玮 |
| 地址： | 350002 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种利用熔盐法制备氟化镧单晶、稀土掺杂氟化镧单晶的方法。制备氟化镧单晶或稀土掺杂氟化镧单晶的方法，均采用氟化锂为助熔剂；将含有氟化镧和助熔剂氟化锂的物料或含有氟化镧、助熔剂氟化锂和稀土源的物料置于熔盐提拉炉中，在含有四氟化碳和惰性气体的保护气氛中生长得到所述氟化镧单晶或稀土掺杂氟化镧单晶。采用熔盐法生长晶体，能够降低单晶的生长温度，可以降到1100℃以下，极大的减少生长过程中熔体的挥发；熔盐炉设备简单，也比较便宜，可以生长出大尺寸的晶体，从而可以大大降低单晶的成本。单晶具有广泛的应用，采用熔盐法有利于实现其广泛应用的价值。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 法制 氟化 镧单晶 稀土 离子 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
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