[发明专利]存储器及其形成方法在审
| 申请号： | 201911087493.6 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN112786444A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 张强;应战 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/8239;H01L27/105 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内形成有位于阵列区域上方的若干平行排列的长条状的长条状图形，且各长条状图形端部均与所述衬底外围区域上的第一掩膜层连接；在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层内形成有若干第一图形，所述若干第一图形阵列排布且与所述长条状图形交叠，用于在衬底内形成分割沟槽，将所述连续有源区分割为若干分立的分立有源区；以所述第二掩膜层、第一掩膜层为掩膜，逐层刻蚀，将所述长条状图形、第一图形传递至所述衬底内，形成阵列排布的分立有源区，位于阵列区域边缘的分立有源区的一端连接至衬底的外围区域。上述方法形成的存储器可靠性提高。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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