[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911087743.6 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN112786452A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;赵海;郑冲冲;张慧君;张继伟;张婷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，基底包括衬底和位于衬底上的初始鳍部，所述初始鳍部包括初始底鳍部和位于初始底鳍部上的顶鳍部；在所述顶鳍部的侧壁形成保护层，形成所述保护层之后；对初始底鳍部的侧壁进行氧化处理，初始底鳍部的侧壁上被氧化的部分作为氧化层，剩余的初始底鳍部作为底鳍部，底鳍部和顶鳍部作为鳍部；去除氧化层和保护层；在底鳍部露出的衬底上形成隔离层，隔离层的顶部低于底鳍部的顶部；在隔离层上形成横跨鳍部的栅极结构。本发明实施例，栅极结构覆盖顶鳍部的部分侧壁表面和部分底部表面，以及高于隔离层的底鳍部的部分侧壁，从而栅极结构覆盖的鳍部的面积较大，有利于提高栅极结构对沟道的控制能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
