[发明专利]氧化镓场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上外延制备n型掺杂氧化镓沟道层，并在n型掺杂氧化镓沟道层上沉积源电极和漏电极；在n型掺杂氧化镓沟道层上未被源电极和漏电极覆盖的位置刻蚀成一斜面，获得样品；在样品上未被源电极和漏电极覆盖的表面上生长介质层；在介质层的斜面上制备栅电极。通过刻蚀斜面的方式，可以使栅电极处于一个斜面上，栅电极靠近漏极的端点处角度变大，栅电极下尖峰电场被有效的抑制，电场分布更加均匀，从而大幅提升氧化镓场效应晶体管的击穿电压，提高氧化镓场效应晶体管的导通特性。