[发明专利]一种半导体激光器的制备方法在审
| 申请号： | 201911090010.8 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110880676A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 杨晓杰;杨国文;李靖;赵卫东 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张琳琳 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种半导体激光器的制备方法。包括：提供叠层半导体激光器的外延结构；其中，所述外延结构包括含铝外延层；对所述外延结构进行干法刻蚀，以形成侧壁陡直且光滑的条状结构；对所述条状结构进行湿法氧化，在所述含铝外延层两侧形成氧化介质层；其中，所述氧化介质层作为所述叠层半导体激光器的横向电流限制层和横向波导层。通过所述横向电流限制层和横向波导层，可以抑制半导体激光器工作电流的横向扩展，使得每一层量子阱有源区被注入一致的电流强度和密度，降低了激光器的阈值电流，抑制光场横向扩展，实现了尺寸和强度一致的激光光斑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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