[发明专利]闪存器件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种闪存器件及其制作方法，在浮栅材料层上形成氧化层，平坦化所述氧化层与所述浮栅材料层之后，所述存储区内剩余的浮栅材料层形成浮栅且外围区保留有部分厚度的所述浮栅材料层，以所述浮栅和所述外围区保留的部分厚度的浮栅材料层为掩膜刻蚀所述浮栅之间的隔离结构，能够节省图形化工艺，避免了由于光刻胶图形化造成的缺陷，并且降低了生产成本，同时提高了浮栅的均一性。

主权项

1.一种闪存器件的制作方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底包含存储区与外围区，所述衬底内形成有多个隔离结构，且所述隔离结构的上表面高于所述衬底的上表面；/n在所述隔离结构与所述衬底上形成浮栅材料层，在所述浮栅材料层上形成氧化层；/n平坦化所述氧化层与所述浮栅材料层，至暴露出所述存储区内的所述隔离结构的上表面,所述存储区内剩余的浮栅材料层形成浮栅且所述外围区保留有部分厚度的浮栅材料层；/n以所述浮栅和所述外围区保留的部分厚度的浮栅材料层为掩膜，刻蚀所述浮栅之间的所述隔离结构；以及，/n去除所述外围区保留的部分厚度的浮栅材料层。/n