[发明专利]图像传感器在审
| 申请号： | 201911091800.8 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111435667A | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 李允基;金正生;俞铉根 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图像传感器，包括：半导体层，其包括第一部分和第二部分，该半导体层具有彼此面对的第一表面和第二表面；器件隔离层，其在半导体层中并限定多个像素；第一栅格图案，其在半导体层的第一部分上的第一表面上；以及遮光图案，其在半导体层的第二部分上的第一表面上。第一栅格图案的顶表面位于第一高度处，遮光图案的顶表面位于第二高度处，第一高度低于第二高度，并且第一高度和第二高度相对于半导体层的第一表面被限定。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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