[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 201911091935.4 | 申请日: | 2019-11-08 |
公开(公告)号: | CN112786625A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 游腾健 | 申请(专利权)人: | 精準基因生物科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 中国台湾新北市淡*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种图像传感器,包括多个像素区。各像素区包括基板、光二极管、第一钉扎层、第二钉扎层以及第三钉扎层。光二极管位于像素区的基板中。第一钉扎层位于基板的第一表面与光二极管之间的基板中。第二钉扎层位于第一钉扎层与光二极管之间的基板中,且电性连接至第一偏压。第三钉扎层位于光二极管与基板的第二表面之间的基板中,且电性连接至第二偏压。第二钉扎层与第三钉扎层分别位于光二极管的相对两侧。通过施加第一偏压和/或第二偏压来调整光二极管于基板中的感测位置,以使光二极管能检测并区别不同波长的光信号。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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