[发明专利]低介电常数的氧化硅膜层及其制备方法及半导体元器件

摘要

一种低介电常数的氧化硅膜层的制备方法，其包括以下步骤：将衬底置于等离子体化学气相沉积的反应室中；以及往上述反应室中通入等离子体激发气体、反应气体及呈气态的醇类化合物或其混合物进行气相沉积，获得所述低介电常数的氧化硅膜层；其中，所述反应气体包括硅源气体及氧源气体，所述醇类化合物或其混合物的通入晚于所述等离子激发气体的通入。本发明还提供一种由上述低介电常数的氧化硅膜层的制备方法制得的氧化硅膜层，以及一种包括上述低介电常数的氧化硅膜层的制备方法制得的氧化硅膜层的半导体元器件。