[发明专利]互连结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911093292.7 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN111180384A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 王菘豊;梁顺鑫;张容浩;朱家宏;林耕竹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文描述的实施例总体上涉及用于形成互连结构的一种或多种方法，诸如包括导线和导电通孔的双镶嵌互连结构，以及由此形成的结构。在一些实施例中，互连开口形成为穿过半导体衬底上方的一个或多个介电层。互连开口具有通孔开口和位于通孔开口上方的沟槽。在通孔开口中形成导电通孔。对沟槽的一个或多个暴露的介电表面实施成核增强处理。在沟槽的一个或多个暴露的介电表面上和导电通孔上的沟槽中形成导线。本发明的实施例还涉及互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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