[发明专利]一种交替反应制备单层和多层二硒化钒材料的方法在审
申请号: | 201911093518.3 | 申请日: | 2019-11-11 |
公开(公告)号: | CN111020526A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 杨万丽;陈鑫;孙艳;刘从峰;戴宁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | C23C16/30 | 分类号: | C23C16/30;C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种交替反应制备单层和多层二硒化钒材料的方法。该方法通过交替注入一种或一种以上金属钒化合物和一种或一种以上含硒化合物进行沉积反应,通过调节反应温度与时间来控制二硒化钒材料生长的层数与面积,得到高质量的层状二硒化钒材料。本发明的优点是:操作简单方便,生长条件精确可控,可实现二硒化钒材料的大面积制备。二硒化钒材料具有独特的化学、电子、磁和机械性能,在光电子学、自旋电子学、催化剂、传感器、能量收集和存储等科学技术领域有着广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 交替 反应 制备 单层 多层 二硒化钒 材料 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的