[发明专利]半导体器件及其栅极结构的形成方法在审

专利信息
申请号: 201911095436.2 申请日: 2019-11-11
公开(公告)号: CN112786438A 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 徐秋霞;陈凯 申请(专利权)人: 上海新微技术研发中心有限公司
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/8238
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 201800 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种半导体器件及其栅极结构的形成方法,包括:提供半导体层,在半导体层上形成包括N型MOSFET区域或/和P型MOSFET区域的有源区;在有源区上依次形成假栅叠层、栅极侧墙、N型或/和P型源/漏区以及层间介质层;去除假栅叠层以形成栅极开口,在栅极开口处依次形成界面氧化物层和铁电材料栅介质层;在铁电材料栅介质层上形成应力牺牲层,并进行退火处理;在退火处理过程中,通过应力牺牲层的夹持作用,诱发铁电材料栅介质层形成铁电相栅介质层;去除应力牺牲层;在铁电相栅介质层上形成金属栅层。本发明在引入负电容效应的同时,也获得了器件所需的带边功函数,并防止了超薄铁电栅介质层的栅漏电流过大。
搜索关键词: 半导体器件 及其 栅极 结构 形成 方法
【主权项】:
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