[发明专利]半导体器件及其栅极结构的形成方法在审
申请号: | 201911095436.2 | 申请日: | 2019-11-11 |
公开(公告)号: | CN112786438A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 徐秋霞;陈凯 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/8238 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体器件及其栅极结构的形成方法,包括:提供半导体层,在半导体层上形成包括N型MOSFET区域或/和P型MOSFET区域的有源区;在有源区上依次形成假栅叠层、栅极侧墙、N型或/和P型源/漏区以及层间介质层;去除假栅叠层以形成栅极开口,在栅极开口处依次形成界面氧化物层和铁电材料栅介质层;在铁电材料栅介质层上形成应力牺牲层,并进行退火处理;在退火处理过程中,通过应力牺牲层的夹持作用,诱发铁电材料栅介质层形成铁电相栅介质层;去除应力牺牲层;在铁电相栅介质层上形成金属栅层。本发明在引入负电容效应的同时,也获得了器件所需的带边功函数,并防止了超薄铁电栅介质层的栅漏电流过大。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 栅极 结构 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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