[发明专利]时间延迟积分的CMOS图像传感器及其形成方法

摘要

一种时间延迟积分的CMOS图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：基底，所述基底包括若干光电区，每个所述光电区包括沿所述第一方向排布的第一光电区、第一隔离区以及第二光电区，所述第一隔离区内具有若干相互分立的源漏区；位于每个所述光电区的基底表面的若干栅极组单元，每个所述栅极组单元包括第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构，所述第一栅极结构位于所述第一光电区的基底表面，所述第二栅极结构位于所述第二光电区的基底表面，所述第三栅极结构位于所述第一隔离区的基底表面，每个第三栅极结构在所述基底表面的投影包围一个所述源漏区在所述基底表面的投影。从而提高了时间延迟积分的CMOS图像传感器的性能。

主权项

1.一种时间延迟积分的CMOS图像传感器，其特征在于，包括：/n基底，所述基底包括相互分立并沿第一方向排布的若干光电区，每个所述光电区包括沿所述第一方向排布的第一光电区、第二光电区以及位于所述第一光电区和所述第二光电区之间的第一隔离区，所述第一隔离区内具有若干相互分立的源漏区，所述源漏区沿所述第二方向排布，所述第一方向和所述第二方向互相垂直；/n位于每个所述光电区的基底表面的若干栅极组单元，所述若干栅极组单元沿所述第二方向排布，每个所述栅极组单元包括第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构，所述第一栅极结构位于所述第一光电区的基底表面，所述第二栅极结构位于所述第二光电区的基底表面，所述第三栅极结构位于所述第一隔离区的基底表面，每个第三栅极结构在所述基底表面的投影包围一个所述源漏区在所述基底表面的投影。/n