[发明专利]半导体装置与存储器单元在审
| 申请号： | 201911095958.2 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112670406A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 郑怀瑜;郭奕廷;龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及存储器单元，半导体装置包含第一电极、第二电极、以及设置于第一电极与第二电极之间的铟掺杂硫基选择层(In‑doped chalcogenide‑based selector layer)，其中铟掺杂硫基选择层的铟含量为约2at.％至约10at.％。一种具有此铟掺杂硫基选择层的存储器单元亦在此公开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 存储器 单元 | ||
【主权项】：
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