[发明专利]晶片的生成方法有效
| 申请号： | 201911100198.X | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN111203652B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 山本凉兵 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B23K26/53;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供晶片的生成方法，能够从单晶SiC的锭高效地剥离而生成晶片。该晶片的生成方法包含如下的工序：第一超声波赋予工序，对包含要生成的晶片的锭(2)的一部分的区域高密度地赋予超声波而形成一部分剥离的部分剥离部(29)；第二超声波赋予工序，在实施了该第一超声波赋予工序之后，在比该第一超声波赋予工序中赋予了高密度的超声波的该一部分的区域大的面积上按照低密度对锭(2)赋予超声波，形成从部分剥离部(29)遍及于晶片(W)的整个面的剥离部(29’)；以及剥离工序，从锭(2)剥离要生成的晶片(W)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 生成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
