[发明专利]一种1.5T SONOS存储器结构及制造方法

摘要

本发明提供一种1.5T SONOS存储器结构及制造方法，P型阱和位于其一侧的存储阱；位于P型阱上的选择管栅极；位于存储阱上的存储管栅极；选择管栅极的高度低于存储管栅极的高度，并且存储管栅极远离选择管栅极的侧壁呈斜坡，该斜坡上设有金属硅化物；选择管栅极与存储管栅极之间设有ONO叠层，该ONO叠层高度与存储管栅极高度一致；选择管栅极的顶部设有依靠ONO叠层的第一侧墙；选择管栅极顶部的其余部分设有金属硅化物；选择管栅极远离所述存储管栅极的侧壁设有第二侧墙。本发明通过改造传统的1.5T SONOS工艺，加强选择管和存储管的栅极隔绝，降低选择管和存储管栅极漏电的风险，同时能让选择管的栅极也能生长金属硅化物,降低选择管的电阻，提高器件性能。