[发明专利]内埋元件封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201911100304.4 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112466833A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 陈建泛;廖玉茹 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/485;H01L21/52;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种内埋元件封装结构及其制造方法。内埋元件封装结构包括一介电结构、一半导体芯片以及一图案化导电层。半导体芯片内埋于介电结构中，介电结构包覆半导体芯片且具有一第一厚度，半导体芯片具有一第二厚度，第一厚度大于第二厚度，且第一厚度与第二厚度的比值介于1.1～28.4之间。图案化导电层覆盖介电结构的一上表面并延伸于介电结构的一第一开孔中，第一开孔露出半导体芯片的一电性接垫，图案化导电层与半导体芯片的电性接垫电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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