[发明专利]一种原子层沉积制备有机无机杂化卤素钙钛矿材料的方法在审

专利信息
申请号: 201911100861.6 申请日: 2019-11-12
公开(公告)号: CN110670045A 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 丁士进;吴小晗;张卫 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: C23C16/30 分类号: C23C16/30;C23C16/455
代理公司: 11245 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 陆惠中;王永伟
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于集成电路制造领域,其公开了一种原子层沉积制备有机无机杂化卤素钙钛矿材料的方法,该方法主要包括两部分:通过对材料基底进行3‑氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)与氢碘酸或者十三氟辛基三乙氧基硅烷(FOTS)等表面处理,实现含铅前体的有效附着,能够形成一层单分子层;通入有机铵盐前体与单层含铅前体反应形成单层材料,多次循环得到最终的有机无机杂化卤素钙钛矿光电材料。本发明方法利用气相的原子层沉积方法,通过调控循环周期数进而得到所需厚度的薄膜材料,并且能够制备出大面积均匀的钙钛矿薄膜,从而拓展有机无机杂化卤素钙钛矿材料在太阳能电池、光探测器、激光器等光电领域的应用。
搜索关键词: 有机无机杂化 钙钛矿材料 原子层沉积 前体 制备 氨基丙基三乙氧基硅烷 辛基三乙氧基硅烷 集成电路制造 钙钛矿薄膜 循环周期数 太阳能电池 薄膜材料 单层材料 单分子层 多次循环 光电材料 光电领域 光探测器 前体反应 有机铵盐 激光器 钙钛矿 氢碘酸 单层 附着 基底 调控 拓展 应用
【主权项】:
1.一种有机无机杂化卤素钙钛矿材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将基底表面处理后,依次通入含铅前体和有机铵盐前体得到单层有机无机杂化卤素钙钛矿材料;重复通入含铅前体和有机铵盐前体,根据所需要的厚度确定循环次数,即得到有机无机杂化卤素钙钛矿材料。/n
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