[发明专利]侧向扰流式感应耦合等离子体蚀刻机的制造方法及其结构在审
| 申请号： | 201911101557.3 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112863982A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 林志隆;蔡兆哲;陈俊龙 | 申请（专利权）人： | 聚昌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种侧向扰流式感应耦合等离子体蚀刻机的制造方法及其结构，其中制造方法包括：提供第一腔体；提供第二腔体，形成于第一腔体的下方且相连通；设置至少一个第一进气口在第一反应腔室的顶面；设置至少一个第二进气口在第一反应腔室的外围且位于第二腔体顶面；以及多个第三进气口，在第二反应腔体的侧壁上且高于晶圆片顶面的位置。借由本发明的实施，可以改善气体分流效果不佳的情况，有效的调整气体分流，达到改变晶圆表面蚀刻率分布及提升外围浓度的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 侧向 扰流式 感应 耦合 等离子体 蚀刻 制造 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
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