[发明专利]稀土掺杂的硫化钼单分子层薄膜及制备方法在审
| 申请号： | 201911102900.6 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN110777356A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘红军;苏少凯;张福强;景芳丽;杨栋程;任彩霞 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/44;C23C16/448 |
| 代理公司： | 14111 太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 张宏 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种稀土掺杂的硫化钼单分子层薄膜及其制备方法，使用化学气相沉积方法，使用单温区管式生长炉，在石英管上游放入硫粉，使用低熔点稀土化合物作为合成的前驱体，将低熔点稀土化合物与MoO混合置于瓷舟内并掺入氯化钠；炉中通入载气，在18‑22分钟内将生长炉从室温加热到600℃，然后在5‑10分钟内将生长炉加热到720‑780℃，在该温度下保温5‑10分钟，获得稀土掺杂的硫化钼单分子层薄膜。本发明通过分段式控温生长，可以减少硫粉的用量同时实现可控掺杂，通过重复实验控制反应条件实现了稀土掺杂硫化钼薄膜的单分子层大面积生长。 | ||
| 搜索关键词： | 单分子层 稀土掺杂 硫化钼 薄膜 稀土化合物 低熔点 生长炉 硫粉 加热 氯化钠 化学气相沉积 管式生长炉 反应条件 实验控制 分段式 前驱体 石英管 生长 掺入 瓷舟 放入 可控 控温 温区 载气 制备 保温 掺杂 合成 上游 重复 | ||
【主权项】：
1.一种稀土掺杂的硫化钼单分子层薄膜的制备方法，其特征在于：/n采用化学气相沉积方法，使用单温区管式生长炉，以低熔点稀土化合物作为掺杂剂对硫化钼进行掺杂，获得稀土掺杂单分子层硫化钼薄膜，包括以下步骤：/n步骤一，衬底清洗，依次用丙酮、蒸馏水超声、无水乙醇对衬底进行清洗，放在干燥箱中烘干，使用前用氮气枪吹掉表面灰尘；/n步骤二，在石英管上游放入硫粉，使用低熔点稀土化合物作为合成的前驱体，按照质量比将低熔点稀土化合物与MoO
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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