[发明专利]一种硫化锡-硫化镍异质纳米片阵列结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911105781.X | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110745861A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 符秀丽;官顺东;彭志坚 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00;C01G53/11;H01M4/36;H01M4/58;H01M10/054;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种负载于导电基底表面的、均一复合的硫化锡‑硫化镍异质纳米片阵列结构及其制备方法，属于新能源材料制备技术领域。本发明产品的主体部分是均一复合的硫化锡‑硫化镍纳米片，其垂直、紧密生长在导电基底表面形成阵列结构。本发提出的一步溶剂热制备方法，以氯化镍、四氯化锡和硫代乙酰胺分别作为镍源、锡源和硫源，以酒精和水混合液作为溶剂，以导电基底作为骨架，通过控制水的添加量来有效控制硫化镍的生长速率，实现产品的合成。该方法产物产量大、纯度高，形貌可控，无需后处理；且该法具有设备和工艺简单、合成生长条件严格可控、产品收率高、成本低廉、生产过程清洁环保等优点。此外，该产品具有优异的电化学储能性能。 | ||
| 搜索关键词： | 导电基底表面 硫化镍 硫化锡 均一 合成 制备技术领域 复合 电化学储能 硫代乙酰胺 硫化镍纳米 纳米片阵列 溶剂热制备 新能源材料 后处理 清洁环保 生产过程 生长条件 水混合液 四氯化锡 形貌可控 有效控制 阵列结构 生长 导电基 氯化镍 添加量 溶剂 可控 硫源 镍源 收率 锡源 异质 制备 酒精 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种负载于导电基底表面的、均一复合的硫化锡-硫化镍异质纳米片阵列结构，其特征在于，所述纳米片阵列结构由硫化锡和硫化镍复合组成，二者之间相互融合，形成均一、连贯的片状异质结构；所述纳米片垂直、均匀地生长于导电基底上，形成一种高密度的纳米片阵列结构。/n
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