[发明专利]双发射荧光材料及其制备方法和其在LED器件中的应用在审
申请号: | 201911106133.6 | 申请日: | 2019-11-13 |
公开(公告)号: | CN110951478A | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 刘应亮;胡广齐 | 申请(专利权)人: | 华南农业大学 |
主分类号: | C09K11/02 | 分类号: | C09K11/02;C09K11/59;H01L33/50;B82Y20/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人: | 李强 |
地址: | 510642 广东省广州市天*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种双发射荧光材料及其制备方法和其在LED器件中的应用,所述双发射荧光材料包括如下质量百分比的组分,10%~18%硅量子点和82%~90%聚硅氧烷;制备方法包括步骤,将硅源、螯合剂和去离子水混合,在180~250℃下进行水热反应,得到所述双发射荧光材料。本发明的提供一种双发射荧光材料为硅量子点镶嵌的2‑D聚硅氧烷,其为蓝绿光双发射,具有优异的热稳定性和耐温性;该双发射荧光材料与紫外线或紫光LED芯片封装出无UV发射的暖白光LED,是一种理想的护眼LED光源;或者与蓝光LED芯片封装出能够商业化应用的正白光LED器件。 | ||
搜索关键词: | 发射 荧光 材料 及其 制备 方法 led 器件 中的 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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