[发明专利]相变化随机存取记忆体元件的形成方法在审
| 申请号： | 201911106563.8 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111192956A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 林毓超;涂元添;余绍铭;李东颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种相变化随机存取记忆体(PCRAM)元件的形成方法包括：在底部电极上形成相变化元件并且在该相变化元件上形成顶部电极；在该相变化元件周围形成保护层；以及在形成该保护层之后，在该保护层周围形成含氮侧壁间隔物层。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 随机存取 记忆体 元件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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