[发明专利]锗硅工艺中颗粒缺陷的检测方法在审
| 申请号： | 201911106619.X | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110854032A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 陈守钧;吴坤宪;周思敏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种锗硅工艺中颗粒缺陷的检测方法，属于半导体制造技术，该方法包括：提供一硅衬底，所述硅衬底上制作有带有侧墙的栅极结构；在所述栅极结构两侧的区域制作沟槽；在沟槽内生成锗硅外延层；通过薄膜淀积工艺生长间隙层，所述间隙层在所述锗硅外延层的上方；检测颗粒缺陷，所述颗粒缺陷由生成所述锗硅外延层的工艺造成；解决了在锗硅当站因机台检验极限的限制，极微小颗粒缺陷的检出率不高的问题；达到了提高颗粒缺陷的检出率，降低了检验失效率和成本损失的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 颗粒 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
